QQ:877997991
TEL:15365097539
产品推荐
PTB7-TH/PCE10
CAS: 1469791-66-9
立即询价
P3HT
CAS: 104934-50-1
立即询价
ITIC
CAS: 1664293-06-4
立即询价
PTB7/PCE9
CAS: 1266549-31-8
立即询价
PBDB-T/PCE12
CAS: 1415929-80-4
立即询价
PBDB-T-S
CAS: 1879922-15-2
立即询价
资讯详情

华中科技大学唐江教授团队 Nature reviews materials:气相沉积钙钛矿发光二极管

导语:在当前的信息时代,显示器在我们的日常生活中无处不在,推动了高效低能耗光源的发展,如发光二极管(LED),已经做出了相当大的努力来开发具有窄发射线宽的高效且明亮的LED。钙钛矿发光二极管(PeLED)作为一种有前途的下一代显示设备技术,已引起全世界的关注。尽管最初的报告侧重于实验室规模的旋涂技术,但快速的进展促使研究人员探索其规模化生产的途径。


更多光电前沿资讯和材料,可关注微信公众号“有机光电前沿”“知研光电材料”。文中所涉及众多材料知研均有销售,详情请联系客服。华中科技大学唐江教授团队 Nature reviews materials:气相沉积钙钛矿发光二极管


1.png


1.前言回顾


在当前的信息时代,显示器在我们的日常生活中无处不在,推动了高效低能耗光源的发展,如发光二极管(LED),已经做出了相当大的努力来开发具有窄发射线宽的高效且明亮的LED。钙钛矿发光二极管(PeLED)作为一种有前途的下一代显示设备技术,已引起全世界的关注。尽管最初的报告侧重于实验室规模的旋涂技术,但快速的进展促使研究人员探索其规模化生产的途径。从有机LED的成功中汲取灵感,已经开始考虑气相沉积来构建可靠的PeLED显示器。具有ABX3晶体结构的金属卤化物钙钛矿(MHP)(图1a)由于其优异的光电性能而成为LED的有前途的候选者。由于在EQE和稳定性方面取得了相当大的进展,最先进的PeLED的可扩展制造现在引起了人们的关注。然而,气相沉积的PeLED的性能仍然落后于旋涂的PeLED(图1d)。对于这些解决阻碍器件性能的关键挑战,包括低的光致发光量子效率(PLQY)和低于理想的载流子注入效率,有必要对其发展进行综述。


2.文献简介


基于此,华中科技大学唐江教授团队考察了气相沉积PeLED的发展,特别强调了与溶液处理的PeLED相比,限制其性能的潜在因素。并提供了提高器件性能的途径,包括优化薄膜质量和工程器件架构,并总结了气相沉积PeLED的潜在应用。最后,概述了这一领域的发展机遇。


2.png

图1. .a,钙钛矿晶体结构。b、 商业化有机发光二极管(OLED)中的气相沉积示意图。c、 气相沉积和旋涂钙钛矿发光二极管(PeLED)之间的比较。d、 从蓝色到近红外(NIR)区域的最先进的电子沉积PeLED的峰值外量子效率(EQE)

3.png

图2. 气相沉积过程示意图。a、 钙钛矿CsPbBr3薄膜的双源共蒸发沉积示意图b、 前体材料(CsBr和PbBr2)到连续CsPbBr3膜的气相沉积过程示意图,包括前体蒸发、蒸发分子粘附、化学反应、核形成和晶体生长过程

4.png

图3. a,b,在0.2 Å s−1下 (a部分)和1.5 Å s−1(第b部分)沉积的CsPbBr3膜的扫描电子显微镜图像。c、 晶粒尺寸与光致发光量子效率(PLQY)之间的关系。d、 嵌入Cs4PbBr6基质中的CsPbBr3发光中心示意图,表明核壳结构。e、 不同Cs:Pb比的气相沉积Cs–Pb–Br薄膜的吸收光谱。插图显示了CsPbBr3和Cs4PbBr6之间的I型能带排列。f、 不同Cs:Pb比例的气相沉积Cs–Pb–Br薄膜的光致发光光谱。插图显示了紫外线照射下的照片。g、 疏水性多孔氧化铝膜基材的气相沉积装置示意图。多孔氧化铝膜中气相沉积的MAPbBr3量子线的示意图(顶部)和荧光图像(底部)。h、 气相沉积准2D钙钛矿示意图

5.png

图4. a、 紫外线照射下具有聚氧化乙烯(PEO)钝化的CsPbBr3膜的照片。下面的PEO层是通过旋涂不同浓度的PEO来制备的。b、 在3-氨基-1-丙醇(3AP)掺杂的PEDOT:PSS膜上形成的CsPbBr3膜的光致发光(PL)光谱。c、 LiX盐钝化后的CsPbBr3立方晶体结构。d、 钙钛矿纳米晶体(NCs)的示意图,其发光钙钛矿中心被表面配体很好地钝化。e、 f,含有(f部分)和不含有(e部分)三苯基氧化膦(TPPO)的气相沉积CsPbBr3膜的结晶过程示意图

6.png

图5. a、 用于空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和钙钛矿的材料的能级图。b、 CsPbBr3在低玻璃化转变温度(Tg)衬底(底部)和高Tg衬底(顶部)上的生长行为示意图。CsPbBr3在高Tg衬底上表现出最小的界面扩散和高的表面迁移率。c、 CsPbBr3薄膜在不同衬底上的半峰发射全宽(FWHM)。d、 具有器件结构ITO/Ag/ITO/MoO3/NPB/CsPbBr3TPPO/TPBi/LiF/Mg:Ag合金顶部电极的顶部发射钙钛矿发光二极管(PeLED)的示意图。e、 不同顶部电极的顶部发射PeLED的亮度-电压曲线。f、 Mg:Ag(1:10)的透射光谱 mol%)电极,插图显示了4 V工作偏压

7.png

图6. a、 大面积的照片(90 cm-2)CsPbBr3膜,在紫外光照射下显示出均匀的光致发光。b、 功能面积为40.2的大面积钙钛矿发光二极管的外量子效率(EQE)电流密度曲线显示7.1%的最大EQE。c、 功能面积为14 cm-2的大面积柔性气相沉积PeLED的照片 (顶部)。弯曲曲率半径约为2 mm的柔性PeLED的照片 (底部)。d、 气相沉积PeLED显示面板的结构示意图。e、 有源矩阵PeLED显示面板及其工作状态的照片。f、 有源矩阵PeLED(AMPeLED)显示面板在工作条件下的静态成像。g、 3D球形PeLED器件架构示意图(左)。10伏以下3D球形器件的电致发光(EL)图像 (右)。h、 10伏以下三维球形装置的角发射剖面


3.文献总结


在这篇文章中,重点介绍了对蒸镀PeLED的研究,迄今为止,该研究遵循了两个方向:实现高发射性的气相沉积钙钛矿膜和器件结构工程。讨论了器件优化的挑战和潜在途径,并提出了未来的发展机遇。相关研究成果最新发表于国际知名期刊《Nature》上,题为“Vapour-deposited perovskite light-emitting diodes”。


本文关键词:气相沉积;钙钛矿;发光二极管
添加客服微信
方便询价
顺丰物流发货
快捷安全
关注服务号
下单有礼
本公司所有产品仅用作科学研究
不为任何个人用途提供产品和服务
知研——您的知心科研助手
荣誉客户
关注光电前沿
最新资讯
南京知研科技有限公司

QQ:877997991
电话/微信:153-6509-7539  
在线客服
 
 
 工作时间
周一至周五 :9:00-18:00
 联系方式
QQ:877997991
电话/微信:15365097539